從現實運用的角度來看，安置利用簡略、體積相對較小的大功率LED器件在大部分的照明應用中必將取代傳統的小功率led器件。由小功率LED組成的照明燈具爲了滿足照明的需要，必須集中許多個LED的光能才能達到設計要求，但帶來的缺點是線路異常複雜、散熱不暢，爲了平衡各個LED之間的電流、電壓關係，必須設計複雜的供電電路。相比之下，大功率單體LED的功率遠大於若干個小功率LED的功率總和，供電線路相對簡單，散熱結構完善，物理特性穩定。所以說，大功率LED器件的封裝方法和封裝材料並不能簡單地套用傳統的小功率LED器件的封裝方法與封裝材料。大的耗散功率、大的發熱量以及高的出光效率，給LED封裝工藝、封裝設備和封裝材料提出了新的更高的要求。
大功率LED芯片
要想得到大功率LED器件，就必須製備合適的大功率LED芯片。國際上通常的製造大功率LED芯片的方法有如下幾種：
①加大尺寸法。透過增大單體LED的有效發光面積和尺寸，促使流經TCL層的電流均勻分佈，以達到預期的光通量。但是，簡單地增大發光面積無法解決散熱問題和出光問題，並不能達到預期的光通量和實際應用效果。
②硅底板倒裝法。首先製備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時製備出相應尺寸的硅底板，並在硅底板上製作出供共晶焊接用的金導電層及引出導電層(超聲金絲球焊點)，再利用共晶焊接設備將大尺寸LED芯片與硅底板焊接在一起。這樣的結構較爲合理，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率LED的生產方式。
美國某公司於2001年研製出了功率型倒裝芯片(FCLED)結構，其製造流程是：首先在外延片頂部的P型GaN上澱積厚度大於500A的NiAu層，用於歐姆接觸和背反射;再採用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N 型層;經澱積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸爲1mm×1mm，P型歐姆接觸爲正方形，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴展距離，把擴展電阻降至小;然後將金屬化凸點的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管(ESD)的硅載體上。
③陶瓷底板倒裝法。先利用LED晶片通用設備製備出具有適合共晶焊接電極結構的大出光面積的LED芯片和相應的陶瓷底板，並在陶瓷底板上製作出共晶焊接導電層及引出導電層，然後利用共晶焊接設備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結構既考慮了出光問題也考慮到了散熱問題，並且採用的陶瓷底板爲高導熱陶瓷板，散熱效果非常理想，價格又相對較低，所以爲目前較爲適宜的底板材料，並可爲將來的集成電路一體化封裝預留空間。
④藍寶石襯底過渡法。按照傳統的InGaN芯片製造方法在藍寶石襯底上生長出PN結後，將藍寶石襯底切除，再連接上傳統的四元材料，製造出上下電極結構的大尺寸藍光LED芯片。
⑤AlGaInN碳化硅(SiC)背面出光法。美國某公司是全球採用SiC襯底製造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產的 AlGaInN/SiCa芯片結構不斷改進，亮度不斷提高。由於P型和N型電極分別位於芯片的底部和頂部，採用單引線鍵合，相容性較好，使用方便，因而成爲AlGaInNLED發展的另一主流產品。