半導體激光器原理 半導體激光器結構

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半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作爲工作物質的激光器。由於物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。

半導體激光器原理 半導體激光器結構

半導體激光器原理

半導體激光器工作原理是激勵方式,利用半導體物質(既利用電子)在能帶間躍遷發光,用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作爲反射鏡,組成諧振腔,使光振盪、反饋、產生光的輻射放大,輸出激光。

 半導體激光器價格

1、精工級點狀半導體激光器報價:220.00元

2、大功率650nm可調一字激光器一字標記器一字鐳射燈半導體激光器報價:150元

3、供應皮秒半導體激光器報價:10.00萬元/件

4、十字線鐳射頭 半導體激光器報價:20.00元

半導體激光器結構

(1)半導體的能帶結構。半導體材料多是晶體結構。當大量原子規則而緊密地結合成晶體時,晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶(對應較低能量)。與價帶近的高能帶稱導帶,能帶之間的空域稱爲禁帶。當加外電場時,價帶中電子躍遷到導帶中去,在導帶中可以自由運動而起導電作用。同時,價帶中失掉一個電子,則相當於出現一個帶正電的空穴,這種空穴在外電場的作用下,也能起導電作用。因此,價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用,統稱爲載流子。

(2)摻雜半導體與p-n結。沒有雜質的純淨半導體,稱爲本徵半導體。如果在本徵半導體中摻入雜質原子,則在導帶之下和價帶之上形成了雜質能級,分別稱爲施主能級和受主能級。